日前，桂林电子科技大学机电工程学院微电子封装技术研究所潘志亮教授以共同第一作者身份在《自然》子刊《NatureCommunications》上发表长篇论文《Defect-drivenselectivemetaloxidationatatomicscale》。该论文第一单位为浙江大学和桂林电子科技大学，通讯作者为浙江大学王江伟教授、张泽院士以及美国佛蒙特大学FredericSansoz教授。
该论文利用原位透射电镜和第一性原理计算在原子水平上揭示了面心立方金属中共格孪晶界和堆垛层错诱导的表面选择性氧化行为与动力学机制。诸多研究已经表明金属内部的面缺陷和表面相交会影响其表面氧化行为，但是研究人员一直不清楚其背后的动力学机制。根据原位高分辨率透射电镜观察和基于量子力学的大规模第一性原理计算，该论文发现氧原子在面缺陷和表面交会的地方具有较高的结合能，使得这些地方优先发生氧化成核。同时，面缺陷提供了氧原子向基体内部扩散的快速通道，使得成核的氧化物可以沿着面缺陷快速向材料内部逐层生长。该动力学机制的发现提供了一个通过缺陷工程改变表面的物理化学性质以设计纳米结构材料的新思路新方法。
潘志亮博士是我校于年12月从海外引进的高层次急需紧缺人才，目前在机电工程学院微电子封装技术研究所工作。该研究所依托电子信息材料器件教育部工程研究中心、广西区电子封装与组装技术工程研究中心与广西高校微电子封装与组装技术重点实验室等科研平台，在广西特聘专家杨道国教授的带领下，致力于攻克先进电子封装、高密度组装及整机互连、可靠性设计与测试分析，电子器件与设备热管理等方向的科学和技术问题，近年来在柔性通用电子封装技术、第三代半导体功率封装关键技术及系统解决方案、表面贴装化应用硅胶按键关键技术、超快充电/储电模块新能源技术等产业化应用方向取得了良好效果。
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桂林电子科技大学校园网责任编辑
欧阳鑫